近日，碳化硅和氮化鎵領域頻傳專利突破喜訊，多家企業和研究機構取得關鍵進展，為半導體行業的發展注入新動力。

        這些專利成果聚焦于器件制造以及應用拓展等核心環節，有望推動相關技術的產業化應用，提升產業競爭力。

碳化硅晶體的生長工藝及應用專利

       3月20日，江蘇天科合達半導體有限公司申請一項名為“一種碳化硅晶體的生長工藝及應用”的專利（公開號CN 119640393 A，申請日期為2024年12月）。

專利摘要顯示，該發明采用石墨隔板將坩堝內部分隔為7個裝料區域，裝填特定粒徑的碳化硅粉料，再用PVT法進行碳化硅晶體的生長。通過優化裝料工藝，可提升粉料在生長過程中升華氣體的均勻性和利用率，有助于爐內溫場的穩定，降低晶體相變發生的概率，減少晶體缺陷，從而提升晶體質量。

九峰山實驗室氮化鎵技術突破

        3月24日，九峰山實驗室科研團隊取得重大突破，成功在全球范圍內首次實現了8英寸硅基氮極性氮化鎵（N-polar GaNOI）高電子遷移率材料的制備。

這一成果打破國際技術壟斷，采用硅基襯底，兼容8英寸主流半導體產線設備，集成硅基CMOS工藝，降低生產成本。材料性能顯著提升，兼具高電子遷移率和優異的可靠性，鍵合界面良率超過99%，為大規模產業化奠定基礎。氮極性氮化鎵材料在高頻段表現出色，適用于5G/6G通信、衛星通信、雷達系統等領域，未來有望推動多個高科技領域發展。

大尺寸硅基的氮化鎵外延器件及生長方法專利

        3月22日，國家知識產權局信息表明，福州鎵谷半導體有限公司申請了“一種大尺寸硅基的氮化鎵外延器件及生長方法”的專利（公開號CN 119653841 A，申請日期為2024年12月）。

通過設置應力釋放層，該發明可緩解緩沖層過厚產生的過高應力，制作更厚緩沖層提升器件耐壓能力，同時使緩沖層缺陷和位錯湮滅，提升結晶質量，得到更平整器件表面利于芯片制作。

source：國家知識產權局

氮化鎵基半導體激光器元件專利

       3月22日，安徽格恩半導體有限公司申請“一種氮化鎵基半導體激光器元件”的專利（公開號CN 119651346 A，申請日期為2024年12月）。

該發明通過在特定結構中設置電流誘導自旋極化層，利用菲利普電離度特性，使激光器在注入電流時產生自旋極化效應，中和內部極化場，減少量子限制stark效應，降低電子泄漏和載流子去局域化，提升峰值增益和光功率。

比亞迪1500V車規級碳化硅（SiC）功率芯片亮相

       比亞迪集團執行副總裁廉玉波于3月17日正式宣布，比亞迪自主研發的全新一代1500V車規級碳化硅（SiC）功率芯片誕生，這是行業內首次實現量產應用的最高電壓等級車規級SiC功率芯片。

該芯片是比亞迪超級e平臺的核心組成部分，支持兆瓦級快速充電，配合全域千伏高壓架構，可實現“油電同速”的超快充體驗，如漢L車型能達到充電5分鐘續航400公里。此芯片的研發成功，體現了比亞迪在碳化硅功率芯片領域的技術實力，也為新能源汽車的性能提升提供了關鍵支撐。

source：比亞迪

集成充電和逆變雙向電源的氮化鎵充電器散熱結構專利

3月21日，浙江綠源電動車有限公司取得“一種集成充電和逆變雙向電源的氮化鎵充電器散熱結構”的專利（授權公告號CN 222638962 U，申請日期為2024年6月）。通過將氮化鎵電路板組件安裝在充電器散熱框架的散熱空間內，有效提升了氮化鎵充電器的散熱性能。

前驅體封裝容器及氣相沉積系統專利

       江蘇第三代半導體研究院有限公司于2025年3月取得一項名為“一種前驅體封裝容器及氣相沉積系統”的專利，授權公告號CN 222648108 U，申請日期為2024年6月。專利摘要顯示，該前驅體封裝容器包括第一腔體，第二腔體，緩沖腔體，通斷控制組件和充抽組件。該專利的設計能夠有效延長封裝容器的使用時限，對于提高生產效率、降低成本具有重要意義。

結語

        碳化硅和氮化鎵作為第三代寬禁帶半導體材料，具有高擊穿場強、高飽和電子漂移速率、高熱導率等優良特性，在電動汽車、5G通訊、新能源等領域應用潛力巨大。此次一系列專利突破，將有助于解決行業長期面臨的材料制備難題，推動相關產品性能提升和成本下降，加速產業化進程。

      業內人士認為，隨著這些專利技術的逐步落地應用，碳化硅和氮化鎵產業鏈上下游企業將迎來新的發展機遇，有望帶動整個半導體行業的技術升級和產業變革，為經濟社會的高質量發展提供強有力的技術支撐。